价格:￥1000.00/台
品牌:普赛斯仪表
大电压上升沿:典型值5ms
大电流上升沿:典型值15us
漏电流测试范围:1nA~100mA
起订:1台
供应:10000台
发货:30天内

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PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升*扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的**表现。

此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现**和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA*、mV*高精度源表到kA*、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，**了国内IGBT测试的技术潮流。功率半导体参数测试仪就找普赛斯仪表，详询18140663476

产品特点

 高电压、大电流

 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(**可扩展至10kV)

 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

 高精度测量

  nA*漏电流, μΩ*导通电阻

  0.1%精度测量

  模块化配置

  可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升*空间,后期可添加或升*测量单元

  测试效率高

  内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

  支持国标全指标的一键测试

  扩展性好

  支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等